Samsung siapkan 30 nanometer 3-bit, DDR flash memory

December 06, 2009

Reading time ~1 minute

Samsung dengan teknologi 30nmSamsung dengan teknologi 30nm

Samsung kali ini akan menambah varian memory mereka, yaitu dengan adanya memory baru dengan ukuran 30 nanometer yang memiliki teknologi 3-bit dalam metode penyimpanan datanya, DDR flash memory ini tidak lama lagi akan hadir dan dapat dirasakan oleh kita. Samsung telah melakukan produksi untuk 3-bit Multi-Level Cell NAND memory ini yang digabungkan dengan teknologi 30nm, hasilnya kita akan mendapatkan proses transfer data yang lebih cepat hingga 3x nya, chips yang lebih kecil, dan juga penyimpanan data yang lebih besar dibandingkan teknologi chips NAND yang ada sebelumnya. Dengan demikian teknologi chip NAND ini akan berpindah menjadi Multi-Level Cell NAND chip yang menawarkan kecepatan 133Mbps R/W yang mana teknologi sebelumnya menawarkan kecepatan hingga 40Mbps. Dengan menggunakan 3-bit chip saat ini hanya akan digunakan pada GB microSD card dengan kapasitas 8GB saja, nantinya akan dikembangkan lebih lanjut untuk beberapa jenis varian memory lainya.

comments powered by Disqus